### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 50V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 100mA  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (depending on conditions)  
- **Transition Frequency (ft):** ~150MHz  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver circuits.  

For exact performance under specific conditions, refer to the official **KEC datasheet**.