EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP SOLENOID) The part **KTD1937** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 ~ 400 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KTD1937** is a high-voltage, low-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a **SOT-23** surface-mount package, making it suitable for compact electronic designs.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability** (up to 50V VCEO)  
- **Low Saturation Voltage** for efficient switching  
- **High Current Gain (hFE)** for improved amplification  
- **Compact SMD Package** (SOT-23) for space-saving PCB designs  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, LAMP SOLENOID)