N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH) KTK5132E is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 85mΩ (V_GS = -10V, I_D = -4.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The KTK5132E is designed for power management applications, including switching regulators, motor control, and load switching.  
- It is optimized for low on-resistance and high-speed switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- High reliability and ruggedness.  
- Suitable for surface-mount applications (DPAK package).  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.