N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR (ULTRA-HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH) KTK5162S is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.25Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- Designed for power switching applications.  
- Suitable for low-voltage, high-efficiency circuits.  
- Commonly used in power management, DC-DC converters, and motor control.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High reliability and ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact application details, refer to the official KEC datasheet.