EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) The part **KTN2222AS** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = 10mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- General-purpose NPN transistor suitable for switching and amplification applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Designed for use in low-power circuits.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Commonly used in signal amplification, driver stages, and switching circuits.  

For exact datasheet details, refer to KEC's official documentation.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)