EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) The part **KTN2222S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC=10mA, VCE=1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Small SOT-23 package suitable for space-constrained designs.  
- Suitable for low-power and high-speed switching circuits.  
- RoHS compliant.  

For exact application details, refer to the official **KEC datasheet**.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) The part **KTN2222S** is manufactured by **AUK**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **KTN2222S** is a general-purpose NPN transistor in a compact SOT-23 package, suitable for amplification and switching applications.  

### **Features:**  
- Low voltage, high current capability  
- Fast switching speed  
- High current gain  
- Small form factor for space-constrained designs  

This information is based solely on the available knowledge base.