EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HISH SPEED SWITCHING) Here is the factual information about part KTN2369 manufacturer KEC specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
- **Part Number:** KTN2369  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-92 (Plastic Encapsulation)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Maximum Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The KTN2369 is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- The TO-92 package makes it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (f_T).  
- Reliable performance in a wide temperature range.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.