EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR The KTN2907AE is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (at IC = -150mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KTN2907AE is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range  
- Low saturation voltage  
- Suitable for high-speed switching  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application circuits, refer to the official KEC documentation.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR The KTN2907AE is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at IC = -10mA, VCE = -5V  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KTN2907AE is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for low-power applications.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, always refer to the official datasheet from KEC.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR