IC Phoenix logo

Home ›  K  › K14 > KTN2907AE

KTN2907AE from KEC

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

13.672ms

KTN2907AE

Manufacturer: KEC

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KTN2907AE KEC 3000 In Stock

Description and Introduction

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR The KTN2907AE is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (at IC = -150mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KTN2907AE is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range  
- Low saturation voltage  
- Suitable for high-speed switching  
- RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application circuits, refer to the official KEC documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KTN2907AE KEC 3000 In Stock

Description and Introduction

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR The KTN2907AE is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) at IC = -10mA, VCE = -5V  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KTN2907AE is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for low-power applications.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, always refer to the official datasheet from KEC.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips