EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING) The KTN2907AS is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The KTN2907AS is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The device is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching applications.  

### **Features:**
- High current gain (h_FE) for improved amplification performance.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (f_T) for good high-frequency response.  
- Compact and cost-effective TO-92 package.  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.