EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING) The KTN2907S is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) @ IC = -10mA, VCE = -1V  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KTN2907S is a general-purpose PNP transistor designed for switching and amplification applications.  
- It comes in a SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact electronic designs.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching applications.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved amplification efficiency.  
- Low saturation voltage for better switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Suitable for a wide range of general-purpose applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact performance characteristics, always refer to the official datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING) The KTN2907S is a PNP transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -10mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The KTN2907S is a general-purpose PNP transistor designed for switching and amplification applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- Commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching applications.  

### **Features:**
- High current gain (hFE) for improved amplification performance.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High transition frequency (fT) for better high-frequency response.  
- Compact TO-92 package for easy integration into circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.