RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR The part **KA4A3Q** is a **silicon rectifier diode** manufactured by **NEC**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon Rectifier Diode  
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 200V  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 50A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (typical at 2A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5µA (maximum at rated voltage)  
- **Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KA4A3Q** is a general-purpose rectifier diode designed for power supply applications.  
- It is suitable for low-frequency rectification (e.g., 50/60Hz AC conversion).  
- The diode is housed in a **DO-15** package, which is a standard axial-lead glass encapsulation.  

### **Features:**  
- **High reliability** for general rectification purposes.  
- **Low forward voltage drop** for efficient power conversion.  
- **Fast reverse recovery time** for improved performance in switching applications.  
- **Glass-passivated junction** for enhanced durability and stability.  

This information is based on NEC's datasheet for the **KA4A3Q** rectifier diode.