Schottky Barrier Diode The KCQ30A06 is a semiconductor component manufactured by NIEC. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NIEC  
- **Type:** NPN Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KCQ30A06 is a high-frequency NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is suitable for use in RF circuits, oscillators, and general-purpose amplification.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- High-frequency performance  

For exact datasheet details, refer to NIEC's official documentation.