SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) The part **KDR367E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 3A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 80A  
- **Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (typical at 3A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum at rated voltage)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-201AD (Axial Lead)  

### **Descriptions:**
- The **KDR367E** is a **Schottky barrier rectifier diode** designed for high-efficiency power applications.  
- It is optimized for **low forward voltage drop** and **fast switching** performance.  
- Suitable for **switching power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits**.  

### **Features:**
- **Low forward voltage drop** for reduced power loss.  
- **High current capability** with a surge current rating of 80A.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **High-temperature operation** up to 150°C.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and reliability data, refer to the official **KEC datasheet**.