SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) Here are the factual details about part KDR377 from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–320 (at I_C = 100mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  
- **Features:**  
  - Low saturation voltage  
  - High current gain  
  - Suitable for low-power amplification and switching circuits  

This information is based solely on the specifications provided in Ic-phoenix technical data files.