SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) The part **KDR393S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type**: NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application**: High-frequency amplification  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V  
- **Collector Current (I_C)**: 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_D)**: 625mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Gain Bandwidth Product**: High  
- **Package**: SOT-23  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **RF and switching applications**  
- **Low noise** performance  
- **High current gain (h_FE)**  
- **Suitable for VHF/UHF amplification**  
- **Compact SMD package** for space-saving designs  

For exact electrical characteristics and performance curves, refer to the official **KEC datasheet**.