SILICON EPITAXIAL TYPE DIODE (VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS) Here are the factual details about part KDS112 from the manufacturer KEC:  

### **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
### **Part Number:** KDS112  
### **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  

### **Specifications:**  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Storage Temperature (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics (Ta=25°C unless specified):**  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 ~ 400 (at VCE=6V, IC=2mA)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 0.3V (max) (IC=50mA, IB=5mA)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (min)  

### **Package:**  
- **Type:** TO-92 (Plastic Encapsulation)  
- **Pin Configuration (EBC):**  
  1. Emitter (E)  
  2. Base (B)  
  3. Collector (C)  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Suitable for low-power circuits  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  

This information is based on the manufacturer's datasheet for KDS112.