SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) The part **KDS120** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 20V  
- **Average Forward Current (IF):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.38V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at VR = 20V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures efficient power conversion.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for transient protection.  
- **Fast Switching:** Ideal for high-frequency applications.  
- **Compact SOD-123 Package:** Space-saving design for PCB applications.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This diode is commonly used in **power rectification, freewheeling diodes, and reverse polarity protection circuits**.  

(Note: Always verify datasheets for the latest specifications.)