ESM PACKAGE The part **KDS120E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 4V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 1.5GHz (min)  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KDS120E** is a high-frequency, low-noise NPN transistor designed for RF amplification in applications such as VHF/UHF communication systems.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- **High Transition Frequency (fT)** for RF applications  
- **Low Noise Figure** for improved signal clarity  
- **Good linearity** in amplification  
- **Reliable performance** in high-frequency circuits  

This information is based on standard manufacturer datasheets and technical documentation. For exact application-specific details, refer to the official KEC datasheet.