SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) Here is the factual information about part KDS121 from manufacturer KEC:  

- **Manufacturer**: KEC (Korea Electronics Company)  
- **Part Number**: KDS121  
- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-23  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_D)**: 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 400  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

### **Features**:  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching capability  
- Compact SOT-23 package for space-saving designs  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.