SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) The KDS122 is a transistor manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100–400 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KDS122 is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- The SOT-23 package makes it suitable for compact and space-constrained PCB designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SMD package for high-density circuit designs.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT) of 250MHz.  

For exact electrical characteristics and application notes, refer to the official KEC datasheet.