SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (HIGH VOLTAGE SWITCHING) The part **KDS135** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 0.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 0.625W  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-noise amplification and high-speed switching applications.  
- Suitable for use in consumer electronics, audio amplifiers, and signal processing circuits.  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability and performance.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.