SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) The part **KDS187** is manufactured by **KEC** (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor (NPN)  
- **Package:** SOT-23  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Collector Current (Ic):** 100mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW  
- **Transition Frequency (ft):** 250MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (depending on conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) for efficient signal amplification.  
- Compact SOT-23 package suitable for space-constrained PCB designs.  
- Low saturation voltage for improved switching performance.  
- RoHS compliant.  

For exact application details, refer to the official **KEC datasheet** for the **KDS187** transistor.