SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) Here is the factual information about part KDS190 from manufacturer KEC, based on Ic-phoenix technical data files:

### **KDS190 Specifications:**
- **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** General-purpose amplification and switching  
- **Package:** TO-92  

### **Electrical Characteristics:**
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = 10mA, VCE = 5V)  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage Capability:** Suitable for medium-voltage applications.  
- **Low Noise:** Designed for low-noise amplification.  
- **Fast Switching Speed:** Effective for switching applications.  
- **Reliable Performance:** Epitaxial planar structure ensures stability.  

This information is strictly based on available technical data. Let me know if you need further details.