SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING) The part **KDS196** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 0.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 0.625W  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 ~ 320  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The KDS196 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT).  
- It is designed for amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics and industrial applications.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range for improved signal amplification.  
- Low noise performance for audio applications.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Reliable performance in switching circuits.  

For exact application details, refer to the official datasheet from KEC.