SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE The KDS221V is a semiconductor component manufactured by KEC (Korea Electronics Corporation). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, switching applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 0.1A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 0.3W  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (minimum)  
- **Package Type:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  

### **Descriptions:**  
- The KDS221V is a general-purpose NPN transistor designed for high-frequency amplification and switching applications.  
- It is housed in an SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact electronic designs.  

### **Features:**  
- High transition frequency (fT) for RF and fast-switching applications.  
- Low noise performance for signal amplification.  
- Small form factor (SOT-23) for space-constrained PCB designs.  

For exact performance characteristics, refer to the official KEC datasheet.