VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE The part **KDS2236S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheets, refer to KEC's official documentation.