VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TV TUNING) Here are the factual details about part **KDV214** from the manufacturer **TOSHIBA** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** KDV214  
- **Type:** Transistor (likely a bipolar junction transistor, BJT)  
- **Package:** TO-92 (standard through-hole package)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 200mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–320 (depending on operating conditions)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Application:** General-purpose amplification and switching.  
- **Low Noise:** Suitable for small-signal amplification.  
- **High Transition Frequency:** Enables good high-frequency performance.  
- **Reliable Performance:** Designed for stable operation in various electronic circuits.  

This information is strictly based on available specifications for **TOSHIBA KDV214**. No additional recommendations or guidance are included.