ESC PACKAGE The part **KDV215E** is manufactured by **KEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **KDV215E** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching circuits.  

### **Features:**  
- Low **R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved thermal performance due to DPAK package  
- Suitable for automotive and industrial applications  

For detailed application notes or additional technical data, refer to the official **KEC datasheet**.