VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF RADIO) Here is the factual information about part KDV239 from manufacturer KEC:

**Specifications:**
- **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)
- **Part Number:** KDV239
- **Type:** NPN Transistor
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 30V
- **Maximum Collector Current (Ic):** 500mA
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 625mW
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 320
- **Transition Frequency (ft):** 250MHz
- **Package:** SOT-23

**Descriptions:**
- The KDV239 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications.
- It is suitable for low-power circuits and high-frequency applications due to its transition frequency of 250MHz.

**Features:**
- High current gain (hFE) range.
- Low saturation voltage.
- Compact SOT-23 package for space-saving designs.
- Suitable for high-frequency signal amplification. 

This information is based solely on the available specifications and features from the manufacturer's datasheet.