VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(CATV TUNING) The part **KDV269E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.026Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance** for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and other high-current switching circuits.  

This information is based on KEC's official datasheet for the KDV269E MOSFET.