VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(TUNING OF SEPERATE RESONANT CIRCUIT) The part **KDV804S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 40V  
- **Current (ID):** 80A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** Typically low (exact value depends on datasheet)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  
- Fast switching speed for high-frequency applications.  
- Robust construction for reliable performance.  

For exact values, refer to the official **KEC datasheet**.