The NSBC113EDXV6T1 is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. This surface-mount device (SMD) features a compact SOT-563 package, making it suitable for space-constrained PCB designs while maintaining reliable performance.  

With a collector current rating of 100 mA and a collector-emitter voltage (V_CEO) of 50 V, the NSBC113EDXV6T1 is well-suited for low-power amplification, signal processing, and switching circuits. Its high current gain (h_FE) ensures efficient signal amplification, while its low saturation voltage enhances energy efficiency in switching applications.  

The component is RoHS-compliant, meeting modern environmental standards, and is designed for stable operation across a wide temperature range. Its small footprint and robust electrical characteristics make it ideal for consumer electronics, industrial control systems, and telecommunications equipment.  

Engineers and designers can leverage the NSBC113EDXV6T1 for its reliability, compact form factor, and consistent performance in various circuit configurations. Whether used in analog amplifiers or digital switching circuits, this transistor offers a dependable solution for modern electronic designs.