Dual Bias Resistor Transistors The **NSBC114EDXV6T1** is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. Manufactured with advanced semiconductor technology, this component offers reliable performance in low-voltage, low-current circuits.  

Featuring a compact SOT-563 (SC-70) package, the NSBC114EDXV6T1 is ideal for space-constrained designs, such as portable electronics and embedded systems. It provides a maximum collector current (Ic) of 100 mA and a collector-emitter voltage (VCEO) of 50 V, making it suitable for signal amplification and load switching in consumer electronics, industrial controls, and automotive applications.  

With a low saturation voltage and fast switching characteristics, this transistor ensures efficient power management and minimal energy loss. Its high current gain (hFE) ensures stable operation across a wide range of operating conditions. Additionally, the device is RoHS-compliant, meeting modern environmental and safety standards.  

Engineers and designers can leverage the NSBC114EDXV6T1 for its consistent performance, compact footprint, and versatility in various circuit configurations. Whether used in audio amplifiers, sensor interfaces, or digital logic circuits, this BJT delivers dependable functionality in demanding electronic systems.