Dual Bias Resistor Transistors The **NSBC114TDXV6T1** is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. This compact SOT-563 (SC-89) surface-mount device offers excellent electrical characteristics, making it suitable for use in portable electronics, communication systems, and embedded control circuits.  

With a collector-emitter voltage (*V_CEO*) of 50V and a continuous collector current (*I_C*) of 100mA, the NSBC114TDXV6T1 provides reliable operation in low-power circuits. Its high current gain (*h_FE*) of 100 to 300 ensures efficient signal amplification, while low saturation voltage enhances energy efficiency in switching applications.  

The transistor features a small footprint, enabling high-density PCB designs, and is RoHS-compliant, meeting modern environmental standards. Its robust performance across a wide temperature range (-55°C to +150°C) makes it suitable for industrial and automotive applications where reliability is critical.  

Engineers value the NSBC114TDXV6T1 for its consistent performance, low noise, and fast switching speeds, making it a versatile choice for analog and digital circuits. Whether used in audio amplifiers, sensor interfaces, or logic-level switching, this BJT delivers dependable functionality in space-constrained designs.