Dual Bias Resistor Transistors The **NSBC123JDXV6T1** is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications. This compact surface-mount component is part of ON Semiconductor’s portfolio, offering reliable performance in a small SOT-563 package.  

With a maximum collector current of **100 mA** and a collector-emitter voltage rating of **50 V**, the NSBC123JDXV6T1 is well-suited for low-power circuits, signal amplification, and digital switching. Its high current gain (hFE) ensures efficient signal processing, while its low saturation voltage enhances energy efficiency in switching applications.  

The transistor features a **dual-emitter configuration**, providing flexibility in circuit design. Its robust construction ensures stable operation across a wide temperature range, making it suitable for consumer electronics, industrial controls, and automotive systems.  

Key specifications include a **total power dissipation of 200 mW** and a transition frequency of **250 MHz**, enabling fast response times in high-frequency applications. The NSBC123JDXV6T1 is RoHS-compliant, meeting modern environmental standards.  

Engineers and designers favor this component for its compact footprint, consistent performance, and versatility in both analog and digital circuits. Whether used in amplifiers, drivers, or logic-level converters, the NSBC123JDXV6T1 delivers dependable functionality in space-constrained designs.