NSBC124EPDXV6T5GManufacturer: ON Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
NSBC124EPDXV6T5G | ON | 5088 | In Stock |
Description and Introduction
Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k **Introduction to the NSBC124EPDXV6T5G**  
The NSBC124EPDXV6T5G is a high-performance NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for switching and amplification applications in modern electronic circuits. Manufactured with advanced semiconductor technology, this component offers low saturation voltage, high current gain, and fast switching speeds, making it suitable for a wide range of industrial and consumer electronics.   With a compact SOT-563 (SC-70) package, the NSBC124EPDXV6T5G is ideal for space-constrained designs while maintaining excellent thermal and electrical performance. Its robust construction ensures reliability in demanding environments, supporting applications such as signal amplification, motor control, and power management systems.   Key specifications include a collector-emitter voltage (V_CEO) of 50V, a continuous collector current (I_C) of 100mA, and a power dissipation (P_D) of 250mW. The transistor also features a high current gain bandwidth product, enhancing its efficiency in high-frequency circuits.   Engineers and designers can leverage the NSBC124EPDXV6T5G for its balance of performance, size, and durability, making it a versatile choice for both prototyping and production-scale projects. Its compatibility with automated assembly processes further simplifies integration into modern PCB designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips