1M × 32 Bits × 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM With Bi-Directional Data Strobe and DLL The **NT5DS4M32EG-5** is a high-performance **32M x 32-bit (1Gb) DDR SDRAM** component designed for applications requiring fast data transfer rates and reliable memory performance. Operating at a **5ns cycle time (200MHz)**, this memory module is optimized for use in networking, telecommunications, and embedded systems where efficient data handling is crucial.  

Built with **double data rate (DDR) technology**, the NT5DS4M32EG-5 enhances system performance by transferring data on both the rising and falling edges of the clock signal. It supports **burst lengths of 2, 4, or 8**, along with programmable CAS latency, ensuring compatibility with a wide range of system configurations.  

The component features a **1.8V power supply**, reducing power consumption while maintaining high-speed operation. Its **4-bank architecture** improves memory access efficiency, making it suitable for applications that demand rapid data processing. Additionally, it includes **auto-refresh and self-refresh modes**, enhancing power management in low-activity states.  

Engineers and designers often integrate the NT5DS4M32EG-5 into devices where **low latency, high bandwidth, and energy efficiency** are priorities. Its robust design and industry-standard packaging ensure seamless integration into existing memory subsystems, making it a reliable choice for advanced computing and communication solutions.

1M × 32 Bits × 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM With Bi-Directional Data Strobe and DLL # Introduction to the NT5DS4M32EG-5 Memory Component  

The NT5DS4M32EG-5 is a high-performance synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) component designed for applications requiring fast data access and efficient power consumption. This 512Mb (32M x 16) DDR SDRAM operates at a clock frequency of 200 MHz (DDR-400), making it suitable for embedded systems, networking equipment, and industrial computing solutions.  

Featuring a double data rate (DDR) interface, the NT5DS4M32EG-5 enhances data transfer efficiency by transmitting data on both the rising and falling edges of the clock signal. Its 1.8V operating voltage ensures lower power consumption compared to traditional SDRAM, aligning with modern energy-efficient design requirements.  

The component supports burst lengths of 2, 4, or 8, along with programmable CAS latency, providing flexibility in system integration. Its compact TSOP-II package makes it ideal for space-constrained applications while maintaining reliable performance under varying operating conditions.  

Engineers and designers often select the NT5DS4M32EG-5 for its balance of speed, power efficiency, and reliability, making it a dependable choice for memory-intensive applications in telecommunications, automation, and consumer electronics.

1M × 32 Bits × 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM With Bi-Directional Data Strobe and DLL The **NT5DS4M32EG-5** is a high-performance **512Mb (32M x 16) DDR SDRAM** electronic component designed for applications requiring fast data transfer rates and efficient memory management. Operating at a clock frequency of **200MHz (DDR400)**, this device delivers a data bandwidth of up to **3.2GB/s**, making it suitable for embedded systems, networking equipment, and high-speed computing applications.  

Built with **1.8V power supply** compatibility, the NT5DS4M32EG-5 ensures low power consumption while maintaining robust performance. It features a **4-bank architecture** with an **auto-refresh and self-refresh mode**, enhancing power efficiency in standby operations. The component adheres to **JEDEC standards**, ensuring reliability and compatibility with industry specifications.  

The **TSOP-II 66-pin package** provides a compact footprint, making it ideal for space-constrained designs. With **CAS latencies of 2.5 and 3**, the memory module supports flexible timing configurations to optimize system performance.  

Engineers and designers favor the NT5DS4M32EG-5 for its balance of speed, power efficiency, and reliability, making it a dependable choice for demanding memory applications in modern electronics.