N-Channel Enhancement−Mode D2PAK The **NTB52N10G** is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 52A, this component is well-suited for power switching, motor control, and DC-DC conversion circuits.  

Featuring a low on-resistance (R_DS(on)) of just 18mΩ, the NTB52N10G minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it ideal for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

The MOSFET is housed in a TO-263 (D2PAK) package, providing excellent thermal performance and mechanical durability. Additionally, its fast switching characteristics enhance performance in high-frequency applications.  

Engineers and designers will appreciate the NTB52N10G for its balance of power handling, efficiency, and thermal stability. Whether used in power supplies, inverters, or load-switching circuits, this MOSFET delivers dependable performance while maintaining energy efficiency.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper integration into your design.