SaTCR1 data brief Here is the factual information about the **SATCR-1** manufacturer **STM** specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  

### **Part Number:** SATCR-1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode  
- **Voltage Rating:** 650V  
- **Current Rating:** 1A (average forward current)  
- **Forward Voltage Drop (Vf):** Typically 1.7V at 1A  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** Low leakage current at high temperatures  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AC (through-hole)  

### **Descriptions:**  
- A high-efficiency **SiC Schottky diode** designed for power applications.  
- Provides **fast switching** with minimal reverse recovery losses.  
- Suitable for **high-frequency and high-temperature** environments.  

### **Features:**  
- **Zero reverse recovery charge (Qrr)** for improved efficiency.  
- **High thermal conductivity** due to SiC material.  
- **Low switching losses** compared to standard silicon diodes.  
- **High surge current capability.**  
- **RoHS compliant.**  

This information is based solely on the available technical data for the **SATCR-1** from **STM**. Let me know if you need further details.