Full-Mold, Separate Excitation Switching Type The SI-8050E is a PNP transistor manufactured by SK. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 85–160 (at I_C = 500mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The SI-8050E is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for small-signal amplification  

This information is based on the manufacturer’s datasheet and standard transistor specifications.

Full-Mold, Separate Excitation Switching Type The SI-8050E is a PNP transistor manufactured by SANKEN. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Power Dissipation (PC):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 - 400 (at IC = 0.5A, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI-8050E is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  
- It is commonly used in audio amplification, signal processing, and low-power switching circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved amplification performance.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT) of 150MHz.  
- Robust construction for reliable operation in various electronic circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.