Full-Mold, Separate Excitation Switching Type The SI-8050S is a PNP transistor manufactured by SANKEN. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -3A  
- **Power Dissipation (PC):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 - 320 (varies by condition)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92 (plastic-encapsulated)  

### **Descriptions:**  
- The SI-8050S is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and driver stages.  
- The TO-92 package makes it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact and cost-effective package.  
- Suitable for a wide range of electronic applications.  

For exact performance characteristics, always refer to the official SANKEN datasheet.

Full-Mold, Separate Excitation Switching Type The SI-8050S is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SANYO.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP silicon epitaxial planar transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 625mW  
- **Junction Temperature (Tj):** 125°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- High current capability  
- Low saturation voltage  
- Suitable for general-purpose amplification and switching applications  

### **Package:**  
- TO-92 (Standard through-hole package)  

The SI-8050S is commonly used in low-power amplification and switching circuits.

Full-Mold, Separate Excitation Switching Type The SI-8050S is a PNP epitaxial silicon transistor manufactured by SK. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Power Dissipation (P_C):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 85 to 160 (at V_CE = -1V, I_C = -500mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (Min)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for driver stages in audio amplifiers and power management circuits.  
- Epitaxial construction ensures stable performance.  
- TO-92 package for easy mounting.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

Full-Mold, Separate Excitation Switching Type The SI-8050S is a PNP silicon epitaxial planar transistor. Below are its specifications, descriptions, and features based on the provided knowledge base:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Type:** PNP transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 85 to 340 (at V_CE = -5V, I_C = -500mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  

### **Descriptions:**  
- The SI-8050S is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for low-power switching and amplification  
- Epitaxial planar construction for improved performance  

This information is strictly based on the provided knowledge base. No additional interpretations or recommendations are included.