Surface Mount Separate Excitation Step-down Switching Mode Regulator ICs The SI-8050SD is a PNP transistor manufactured by SANKEN. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -3A (continuous)  
- **Collector Dissipation (PC):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 1A, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Package:** TO-92 (through-hole)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) for improved efficiency in low-power circuits.  
- Suitable for low to medium power applications.  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and power management circuits.  

For exact performance characteristics, refer to the official SANKEN datasheet.

Surface Mount Separate Excitation Step-down Switching Mode Regulator ICs The SI-8050SD is a PNP silicon transistor manufactured by SAKEN. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI-8050SD is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact electronic circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for low-power applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official SAKEN datasheet.

Surface Mount Separate Excitation Step-down Switching Mode Regulator ICs The SI-8050SD is a PNP silicon epitaxial planar transistor. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **Silicon** (no specific manufacturer mentioned in Ic-phoenix technical data files).  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (Vcb):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vce):** 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (Veb):** 5V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 1.5A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Epitaxial planar construction ensures high performance and reliability.  
- Suitable for low to medium power applications.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and driver circuits.  

Let me know if you need further details.

Surface Mount Separate Excitation Step-down Switching Mode Regulator ICs The SI-8050SD is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by SK. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics:**
- **DC Current Gain (h_FE):** 85 to 340 (at I_C = -500mA, V_CE = -5V)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** -0.3V (max) (at I_C = -1A, I_B = -50mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (min)  

### **Package:**
- **Package Type:** TO-92 (Plastic Encapsulation)  

### **Features:**
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for general-purpose amplification and switching applications  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting  

### **Applications:**
- Audio amplification  
- Signal processing  
- Switching circuits  
- Driver stages  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet for the SI-8050SD transistor.