Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain The part **SI7900AEDN** is manufactured by **SILICONIX**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power management in portable electronics, DC-DC converters, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact parameters.)

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain The part **SI7900AEDN** is manufactured by **Siliconix (Vishay)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to the official Vishay Siliconix documentation.

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain The part **SI7900AEDN** is manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SI7900AEDN  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** -30V  
- **Current Rating (ID):** -5.7A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 85mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The **SI7900AEDN** is a P-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high efficiency, making it suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (**RDS(on)**) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- **PowerPAK® SO-8** package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

For detailed datasheet information, refer to VISHAY’s official documentation.