Common Drain Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The part **SI7900EDN** is manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Manufacturer:** VISHAY  
### **Part Number:** SI7900EDN  

#### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

#### **Description:**  
The SI7900EDN is a **N-Channel Power MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  

#### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **High Current Capability** (50A continuous, 200A pulsed)  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Optimized for Power Management Applications**  

This information is based solely on the available technical data for the SI7900EDN from VISHAY.