Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET The SI7960DP-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
**Vishay**  

### **Part Number:**  
SI7960DP-T1-E3  

### **Type:**  
Power MOSFET (N-Channel)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(ON)):**  
  - 8.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
  - 10mΩ (max) @ VGS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **Advanced TrenchFET® Technology** for low on-resistance.  
- **High current handling capability.**  
- **Optimized for high-efficiency power switching applications.**  
- **Avalanche energy rated for ruggedness.**  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
- Battery protection circuits  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.