**Part Number:** SI7970DP  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (per MOSFET)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- High-performance dual N-Channel MOSFET in a compact PowerPAK® SO-8 package.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-efficiency power management applications.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and load switching.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)