High-Voltage Switchmode Controllers The SI9110DY-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI9110DY-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 14 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1 V (min), 2 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Mounting Style:** SMD/SMT  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Switching power supplies  
- Load switching applications  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI9110DY-T1-E3. For further details, refer to the manufacturer's documentation.