High-Voltage Switchmode Controller The SI9112DY-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9112DY-T1-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.5V to 1.5V  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI9112DY-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Compact SO-8 package for space-constrained applications.  
- Suitable for high-frequency switching applications.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.