**Part Number:** SI9175DH-T1  

**Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **RDS(ON) (Max):** 8.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI9175DH-T1 is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

**Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Compact PowerPAK® SO-8 package  
- RoHS compliant