High-Performance/ Size Saving 150-mA CMOS LDO Regulator The part **SI9183DT-285-T1** is manufactured by **Vishay**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9183DT-285-T1  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Drain Current (ID):** 6.5A (continuous)  
- **RDS(ON) (Max):** 28.5mΩ @ VGS = 4.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **SI9183DT-285-T1** is a **N-Channel MOSFET** designed for **power management** applications.  
- It is optimized for **low-voltage, high-efficiency switching** in **DC-DC converters, load switches, and battery management systems**.  
- The **PowerPAK® SO-8 package** provides improved thermal performance and power dissipation.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** 28.5mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **High Current Handling:** 6.5A continuous drain current  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Low Gate Charge (Qg):** Enhances efficiency in switching applications  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on Vishay's official datasheet for the **SI9183DT-285-T1**. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.